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192层3D技术突破!中国芯上演一幕惊天逆转

近日美国对华为的芯片禁令正式生效了,在美国政府的持续打压下,世界上主要的存储芯片生产商按照美国政府的禁令对华为进行了断供。

虽然华为在芯片领域内面临着严重的困境,但是近日在芯片领域内传出了一个好消息,有消息人士透露中国的存储芯片企业长江存储在芯片上取得了重大突破。

该企业实现了对192层3DNAND存储工艺的突破,并且发布了一款消费级固态硬盘产品。该企业所取得的成就意味着中国的存储芯片计划已经取得了一定的效果。

在刻蚀设备领域,中国企业生产的设备已经开始进入台积电的供应链中,不过在台积电的供应链中美国的企业占绝大部分。

在化学机械抛光设备方面,中国的可以替代美国的设备,不过在性能上要差一些。

清洗设备上中国国产的设备能够满足中低端需求,但是在高端设备上还面临着较大难度。

综合来看中国的企业所使用的设备在很大程度上依赖外国的企业,中国企业所能够提供的设备占比比较低。

光刻机是芯片制造过程中不可缺少的设备,这个设备是又贵又精密。

在光刻机领域,能够生产该设备的企业只有两个,荷兰的阿斯麦尔在该领域占有绝对优势,日本的佳能只占很少的一部分。

其实在半导体技术方面,中国企业虽然在技术上都取得了很多突破。但是中国企业在该领域对美国的依赖程度很高。

以长江存储为例,虽然取得192层3DNAND存储工艺的突破,但是在生产设备上严重依赖美国公司。

在芯片制造上,中国企业不仅面临着设备问题,还面临着人才缺失的问题。想要发展芯片产业不仅需要技术,还需要资金。

在人才方面,中国的缺口是比较大的,所以很多企业开始花大力气从芯片制造大厂开始延揽人才了。

美国在芯片上对中国卡脖子,给中国企业的发展带来了非常多的困难。但是也正是因为美国的打压,促使中国在芯片领域内开始全力发展。

从世界上各大主流的存储芯片制造厂商的进展上看,他们基本上实现了128层NAND存储芯片的量产,产品上市的时间预计在2020年。

长江存储在192层3DNAND存储工艺既然已经研制成功,预计将会在明年的六月份实现量产。从目前长江存储的水平来看,至少追赶上了世界的主流水平。

芯片的制造过程是一个非常复杂的过程,但是中国在不断努力,虽然长江存储所取得成就在芯片研制上是一小步,但是在中国的不断努力之下,中国终将会在芯片领域取得突破。

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