中芯国际创始人张汝京：中国半导体随时可以超车
美国竞争不过的时候就会用行政的方式，80年代对日本做了一次，近几年开始对5G制约，但是这一次制约的对象是中国，制约的能力也没有那么强了，但也不能掉以轻心。
在5G里常常都会用到第三代半导体，比如很多高频芯片用的材料是氮化镓，频率非常高，耐高压、耐高温都很好，比如无人驾驶汽车、充电桩等用得碳化硅也是第三代，用得非常多，这些美国会对中国禁运。
碳化硅是非常好的材料，有三个阶段都是可以卡脖子的地方：
（1）材料，碳化硅的单晶，2寸、3寸、4寸用了很久，现在5寸、6寸已经出来了，8寸也就少量出来，现在用得最多的是4寸和6寸，材料是一个很重要的资源；
（2）外延片：有了材料第二阶段找外延片，也是特别的技术，做得好器件就非常好；
（3）第三阶段生产各式各样的功率半导体，用途很多，新能源汽车、动车高压的功率器件超过3000伏以上最好使用碳化硅，这些我们还比较弱。
提问：第三代半导体按什么发展规律来发展的？比如第一代半导体以Design House+Foundry为主，第二代半导体很大程度上还是IDM模式。
张汝京：第三代半导体是后摩尔定律时代，线宽不是很小，设备不特别贵，但它的材料不容易做，设计上要有优势，投资也不需要很大。
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